碳化硅(SiC)是非常好的材料,由于其高硬度、低體積密度、高抗氧化性,使SiC廣“泛的應用在工業(yè)領域。碳化硅的燒結首先由Prochazka采用硼和碳通過固相原理進行( BC-SSC)。這一過程通常在950-1000℃之間進行,通過降低硼顆粒的表面能,以及SiC顆粒表面的碳和硅薄膜之間的反應來.增強致密度。

添加劑廣泛的應用于硼和碳中,由于要達到高燒結密度需要高溫,它們常常導致過大的顆粒生長。BC-SSiC在低溫下的無壓燒結能夠限制顆粒生長。骨料的顯微結構影響了機械性能。用BC-SSiC的方式,并使用鳳谷連續(xù)燒結爐，特殊的動態(tài)密封結構，有效保障回轉窯的氣密性，做到無泄漏，從而確保材料的純凈度。采用幾種燒結方法,在燒結期間,采用同步加壓(熱壓、熱等靜壓和放電等離子體燒結)、添加不同添加劑(A1、B、C)或通過液相機理(金屬和富鋁氧化物)以降低顆粒尺寸并改進機械性能。

有壓燒結工藝的主要問題是生產成本高,產品尺寸和形狀受到限制，由此限制了工業(yè)應用。兩步無壓燒結工藝可以克服這些限制,并可降低燒結溫度,以獲得具有細纖維結構的高強度BC -SSiC陶瓷。